美国白宫２２日公布了２０１５年度美国最高科技奖项获得者名单，包括９名国家科学奖获得者和８名国家技术和创新奖获得者。美籍华人科学家胡正明是国家技术和创新奖获得者之一。胡正明等１７位获奖者明年将在白宫出席颁奖仪式。

胡正明是加利福尼亚大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授，１９９７年当选美国国家工程院院士，本月早些时候当选美国国家发明家科学院院士。

他１９４７年在北京出生，先后在中国台湾和美国的高校就读，是微电子微型化和可靠性领域的主要开拓者。加州大学伯克利分校在获奖消息中称，胡正明教授的主要贡献是由他发明的鳍式场效晶体管（ＦｉｎＦＥＴ）。

美国国家技术和创新奖１９８０年立法设立，由美国联邦政府商务部下属专利商标局管理。一个独立委员会负责向美国总统提名获奖人，表彰那些为提供美国竞争能力、国民生活品质和劳动力技术素质作出持久贡献的人士。

美国国家科学奖是美国科学界最高荣誉，１９５９年设立，由美国国家科学基金会管理，由另一个独立委员会向总统提名，表彰在化学、工程、计算、数学、生物、行为和社会以及其他自然科学领域作出杰出贡献的人士。

歐巴馬親頒獎

（劉先進）

白宮22日宣布，柏克萊加大教授胡正明（Chenming Hu）獲國家技術與創新獎章（National Medal of Technology and Innovation）。胡正明23日表示，獲獎很榮幸，1月將到白宮接受總統歐巴馬頒獎。

國家技術與創新獎章於1980年創立，是全美針對科學與技術領域有突出貢獻的專家的最高獎勵。歐巴馬總統說，科學與技術是美國應對挑戰的根本，國人的創造將推動美國的技術創新，並幫助世界上其他人。

胡正明是台灣中研院院士、中國科學院外籍院士和美國工程學院院士，2001至2004曾任台積電技術長。他是半導體物理及元件領域中的先驅級人物，在全球半導體領域貢獻頗多，其多項著作及發明對產業形成突破性的重大發展，他擁有美國專利逾100件，並曾發表超過900篇期刊論文，出版了5本專書。

屢獲肯定的他，前不久還入選全美發明家學會（The National Academy of Inventors，簡稱NAI）院士，是今年柏克萊三位入選的教授之一。

胡正明表示，獲國家技術與創新獎有三個原因。首先，晶體管內部構造複雜，他的研發促進晶體管的可靠性。其次，他在柏克萊加大的研發團隊BSIM開發了一種計算機的模擬模式，並成為國際標準，「晶體管是最基本的結構，有特殊的電性，如何搭建起來很關鍵。需要計算機做模擬設計電路， 要讓晶體管能被計算機讀懂的數學公式代表。就好比建一所豪華的房子，用計算機模擬如何搭建一塊塊的磚。」

胡正明說，第三個原因，是他帶領團隊設計出3D晶體管「FinFET」，在晶體管技術取得50年以來的最大突破， 「自從二維晶體管面試後，很多專家以為技術層面已難以突破，但3D晶體管體積更小，耗電少，性能更好。目前已運用在蘋果、三星手機的晶片及電腦的伺服器、圖形處理器上，幾乎所有尖端技術都在使用3D晶體管。」