刘轶，现中国科学院博士生导师，研究员，国际知名的射频功率集成电路设计专家。拥有20年以上的专业经历，曾获2006年度美国华裔教授杰出贡献奖。他率先研发了无线移动通信的射频集成电路芯片和光电子器件，包括（2.4/5GHz）频率的功率芯片放大器，双频功率放大器模块和RF射频整体模块；探索出新的无线通信应用领域（手机移动电话，无线遥测等）。

（在加州理工学院举办的年会上，姜镇英教授和陈钧铭教授代表美国华裔教授学者协会给刘轶教授颁奖）

　　刘轶博士一直致力于以InGap/GaAs HBT，PHEMT的新一代集成电路芯片为基础的高速信号通信的研究和开发，在功率放大器的拓扑结构、智能型可控电源的InGap/GaAs HBT射频功率放大器、多频段（2.4/5GHz）多芯片（MCM）模块的无线网络系统、低温共烧陶瓷（LTCC）倒装芯片封装技术等研发领域具有很深的造诣，先后在企业、高校任职，积累了丰富的生产实践经验和教学经验，具有很强的主持科研的能力。

　　刘轶教授在2009年成功推出世界上最小的砷化镓WiFi功率放大器集成电路芯片，并于2010年11月在中国国际工业博览会上成功展出了引领世界最前端的InGaP/ GaAs HBT 功放集成芯片。他是IEEE Fellow，他带领的团队正在为中国的无线通信领域贡献巨大的力量。

（美国华裔教授专家代表团参加2010浦东精英行：李胜东博士、杨鸣博士、姜镇英教授、刘轶教授、严炜祺博士、刚颍、邱美康教授）