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美国华裔专家陈自强博士被授予IEEE恩斯特韦伯工程领袖奖
作者:张羽 | 2011/8/21 4:37:03 | 浏览:2331 | 评论:0

美国华裔专家陈自强博士被授予IEEE恩斯特韦伯工程领袖奖

  华裔科研人员、半导体创新的驱动者、美国IBM研发部科技副总裁陈自强博士,被授予2011年度IEEE恩斯特韦伯工程领袖奖。

  美国电气和电子工程师协会(IEEE)是世界上最大的专业技术协会。恩斯特韦伯工程领袖奖表彰了陈自强博士在推动世界顶级芯片技术的研究、开发和制造中所表现出的卓越的工程管理领导能力。

  陈自强博士目前管理着IBM公司分布在世界各地的6个实验室,共600多个研究人员。过去25年间,他在硅微电子技术领域的贡献推动了从研究、开发到产品制造的重大创新。在陈自强博士指导下开发的技术对大型计算机系统产生了巨大的影响,这些计算机系统在全世界范围内被广泛用于科学计算、银行和其他商业应用系统。

  从1999年开始,陈自强博士协助领导IBM团队完成了第一个使用SOI技术以提高性能的商业化微处理器。他还亲自领导IBM高k/金属栅CMOS技术的研发工作,这项技术是近十年来硅微电子技术的最大挑战之一。

  陈自强博士不仅是IEEE 院士,同时也是美国物理协会和东京大学工程学院的会士。由于在技术和管理方面一直以来的出色表现,1999年他被授予IBM院士。他获得的其他荣誉包括2005年度优秀亚裔美国人,2006年度耶鲁大学科学与工程协会奖等。

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